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QA-3000

レーザーアニール装置

QA-3000

新開発のμs-UVレーザーアニーリングシステムによってサーマルバジェットを精密に制御し、デバイスのパフォーマンスを向上させます。
コンパクトで量産性の高いQA-3000の技術は、新しいプロセスへの適用による性能向上、さらなる生産性の向上を可能にします。

  • 150mm-300mm

1. サーマルバジェットの精密制御

UVレーザーによるマイクロ秒の照射にて最先端パワーデバイスの不純物活性化に求められる熱処理を可能としました。
今回、マイクロ秒で加熱可能とする新しいアニーリングの技術領域を実現しました。

2. 広範囲にわたる応用プロセス

・シリコンはもちろん、SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体においても、
　ドーパントの活性化を不拡散・欠陥フリーで達成。
・深さ数μmからわずか数nmまでの緻密な活性化制御により、Diffusion lessで不純物の高活性化を実現する接合を形成可能。
・インターコネクトなどにおける金属配線やビア特性の改善。
・SiC MOSFETやCMOS にて、シリサイドの形成が可能。
・組み込みメモリーやゲートスタックの特性を最適化。

3. 工業志向のレーザーアニール装置

QA-3000は、あらゆるウェーハの種類や150㎜以上のウェーハサイズに適応可能な装置です。
ステップ＆リピート方式のレーザー照射によって、ウェーハ内の面内均一性を確保します。
従来機種と比べ、小型化されたレーザーアニール装置のため、クリーンルームのフットプリント(設置面積)を削減します。

 

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