次世代型不揮発性メモリ

フラッシュメモリよりも高性能な不揮発性メモリを開発しようという動きは90 年代から存在している。その中で主なものとしては、強誘電体メモリ、磁気抵抗メモリ、および相変化などがある。

■相変化メモリ

次世代の不揮発性メモリとして期待される候補には相変化メモリ（PRAM:Phase Change RAM）もある。これは前述した磁気抵抗メモリ（MRAM）と構造がよく似ているが、磁気抵抗メモリが記憶素子に「TMR 膜」というものを使うのに対し、相変化メモリは「相変化膜」を使うところが違う。

なお、現在のところ最適な性能をもつ「相変化膜」の材料はまだ開発途上にあることから、相変化メモリの実用化はもっと先になると見られる。