次世代型不揮発性メモリ

フラッシュメモリよりも高性能な不揮発性メモリを開発しようという動きは90 年代から存在している。その中で主なものとしては、強誘電体メモリ、磁気抵抗メモリ、および相変化などがある。

■磁気抵抗メモリ

磁気抵抗メモリはMRAM（magneto-resistive random access memory）とも呼ばれ、2000 年以降になって量産にメドをつけるメーカーが増えてきた。MRAM の特長は書き込み可能回数が無限で、しかも読み込み速度が強誘電体メモリよりさらに速いことである。一方欠点は、コストがまだ高く、ロジック回路と混載（＝システムLSI への展開）がしにくいとされることである。