スパッタ装置 VS-R400G/F
独自のLIATM（低インダクタンスアンテナ）方式プラズマ源を採用し、超高速、高品質な真空成膜を実現します。
特長
- 実験・研究・評価・試作に最適なスパッタ装置。
- LIA™方式の誘導結合型プラズマ（LIA™-ICP) によるアシスト効果により、成膜速度を落とすことなくダメージを低減し、高品質な成膜を実現します。また、高密度プラズマの特性を活かし、反応性スパッタにも対応可能です。
LIA™について - ロータリーカソードを搭載することで、成膜速度の高速化が可能です。
- 本機での実証結果は、生産機への展開が容易です。お客様の効率的な開発と量産展開をサポートし、生産性の高い量産環境を実現します。
主な用途
機能膜、表面改質、表面処理、改質、窒化、酸化、パッシベーション
装置仕様
| 型式 |
VS-R400G
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VS-R400F
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| 対象基材 |
ガラス板、金属板などの平板
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樹脂フィルム（PET、PEN）、金属箔
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| 対象膜 |
ITO、アルミナ、化合物、各種金属膜
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| 基材サイズ※ |
W400 x L500 mm
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川幅500㎜
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| 成膜方法 |
デポダウン、インライン成膜
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※他基材サイズ対応につきましては、お問い合わせください。
※LIAは株式会社イー・エム・ディーの商標または登録商標です。