プラズマCVD装置 VC-R400G／F
特長
- 実験・研究・評価・試作に最適なCVD装置です。
- LIA™方式の誘導結合型プラズマ（LIA™-ICP) 使用により、高速/高精度成膜を実現します。
- 多点制御により、より細かな均一性を確保。手動、自動、オプションも多彩です。
- DLC用には、新開発バイアス電源を選択できます。
- 従来比5倍以上の超高速成膜を実現しました。（＊当社比）
- 本実験機での実証後は、生産機へのフィードバックが容易です。
量産装置への展開
装置仕様
| 型式 |
VC-R400G
|
VC-R400F
|
| 対象基材 |
ガラス板、金属板などの平板
|
樹脂フィルム（PET、PEN）、
金属箔 |
| 対象膜 |
DLC、SiN、SiOなど
|
|
| 基材サイズ※ |
W400 x L500 mm
|
川幅500㎜
|
| 成膜方法 |
デポダウン、静止成膜 （インライン成膜も対応可能）
|
|
| 温調 |
ステージ温調 ＜ 500℃
|
|
※他基材サイズ対応につきましては、お問い合わせください。
※LIAは株式会社イー・エム・ディーの商標または登録商標です。