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Semiconductor 初心者のための半導体入門

強誘電体メモリ

次世代型不揮発性メモリ

フラッシュメモリよりも高性能な不揮発性メモリを開発しようという動きは90 年代から存在している。その中で主なものとしては、強誘電体メモリ、磁気抵抗メモリ、および相変化などがある。

■強誘電体メモリ

強誘電体メモリは1990 年代末頃から一部で量産の始まった不揮発性メモリで、FRAM(ferroelectric random access memory の略称)またはFeRAMと呼ばれる。利点はフラッシュメモリよりも格段に高いデータ書き換え可能回数(10 の12 乗回)と、読み出しスピードが速いこと。消費電力も小さい。ただし、まだコストが高く、材料とプロセス技術の開発や集積度などの点でも課題が多く残っており、フラッシュメモリのように本格的な量産には至っていない。しかし、非接触IC カードなど一部の用途向けには出荷が行われている。

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