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株式会社SCREENセミコンダクターソリューションズ

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Product

フラッシュランプアニール装置

LA-3000-F

ウルトラシャロージャンクション形成を可能に

  • 300mm

特長

半導体の製造工程では、単体としては導電性の無いシリコンにヒ素・リン・ボロンなどの不純物を注入することにより導電性を持たせています。そして半導体の微細化に伴い、次世代デバイスでは、シリコンに注入した不純物の分布がわずか数nm広がっただけで、デバイスの性能に著しい影響を及ぼします。そのため、シリコンに注入した不純物を活性化し、電気的性能を最適化する熱処理工程にも従来のハロゲンランプを使った手法に代わる新たな技術が求められています。

業界のこのような動向に対応するため、当社はフラッシュランプによる熱処理の技術として、「ロングパルス技術」を開発。従来は、キセノンフラッシュランプの発光による一瞬の照射光によりウェーハを超高速で昇降温させ、導電物質の活性化処理を行っていましたが、この技術では、電源となるコンデンサ容量の拡大、ウェーハ保持部の改良、プロセスソフトウエアの新規開発などにより、ランプの点灯時間を最適化。緩やかな照射により、ウェーハ表面に形成された回路の表層部だけでなく深部にも熱が伝わるため、深い接合層の導電物質をウェーハ内部へ過剰に拡散させることなく活性化できます。

そのため、微細化に伴い形成深度がより浅くなっている表層部の接合層を形成すると同時に、深い接合層の欠陥も解消することができます。

また、従来よりも緩やかな熱処理であることに加えて、新設計の石英製ウェーハ保持部を採用しているため、ウェーハおよび形成された回路に及ぼすダメージを軽減できます。

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