3次元実装、バンプ、ピラー形成に最適
GLV™とは、半導体チップのベース上に光を反射する非常に微細なリボンを配置したものです。
このリボンを上下させることで、多チャンネルの光を同時にオンオフすることが可能となります。
SCREENは、長年培ったレーザ制御技術を用いて、ハイパワーのレーザ光を高い精度でこのGLV™上に照射し、同時に8000チャンネルもの多数のレーザ光の制御を可能としました。その結果、高速ステージとの同期が可能となり、高精度な高速描画を実現しました。
高い歩留まりと信頼性の高いデバイス性能を得るためには、優れた解像度と重ね合わせ精度が不可欠です。
DW-3000は、グローバルアライメントに加え、描画データを制御してのウェーハ毎に補正が可能なローカルアライメント機能を搭載。
半導体デバイスの高集積化を実現するためには、シリコン貫通電極(TSV)を用いた3次元実装技術が必要とされています。
DW-3000は、独自の低N.A.の描画ヘッドを搭載。
TSV、バンプ形成工程で必要とされる高段差、および厚膜レジストに対して充分な焦点深度を有し、均一性の優れたパターニングが可能となります。
300mmウェーハの直接描画装置として、毎時65枚のスループットを実現。 少量多品種生産から大量生産までフレキシブルな対応が可能です。
メインパターン描画と同時にチップIDの描画ができ、デバイスのトレーサビリティーに活用可能。
200mm/300mmウェーハ選択のブリッジツール。
不良チップへのマーキング機能。
独自のウェーハ搬送と吸着方式により、薄ウェーハや反りウェーハに対応。
解像力 | 2 μm (L/S) or 3 μm (L/S) |
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露光方式 | 直接描画(ラスタースキャン方式) |
縮小比 | 1:5 |
NA(開口数) | 0.2 / 2 μm (L/S) or 0.1 / 3 μm (L/S) |
露光光源 | 16W YAGレーザ(i-line:355nm) |
ウェーハサイズ | 200mm / 300mm(選択) |
オーバーレイ精度 | 表面アライメント : ≦ 1μm(|M|+3σ) 裏面アライメント : ≦ 1μm(|M|+3σ) |
ウェットステーション
スピンプロセッサ
スピンスクラバ
スピンスクラバ(ブラシ&薬液洗浄)