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DW-3000

半導体後工程用直接描画装置

DW-3000

3次元実装、バンプ、ピラー形成に最適

  • 200mm-300mm

特長

1. GLV™とハイパワーYAGレーザを用いたツイン描画ヘッドを搭載

GLV™とは、半導体チップのベース上に光を反射する非常に微細なリボンを配置したものです。
このリボンを上下させることで、多チャンネルの光を同時にオンオフすることが可能となります。
SCREENは、長年培ったレーザ制御技術を用いて、ハイパワーのレーザ光を高い精度でこのGLV™上に照射し、同時に8000チャンネルもの多数のレーザ光の制御を可能としました。その結果、高速ステージとの同期が可能となり、高精度な高速描画を実現しました。

2. Thinningや支持基板への貼り付け時に発生する反りや非線形の歪みに対応

高い歩留まりと信頼性の高いデバイス性能を得るためには、優れた解像度と重ね合わせ精度が不可欠です。
DW-3000は、グローバルアライメントに加え、描画データを制御してのウェーハ毎に補正が可能なローカルアライメント機能を搭載。

3. 厚膜レジストプロセスに対応した独自の光学系を搭載

半導体デバイスの高集積化を実現するためには、シリコン貫通電極（TSV）を用いた3次元実装技術が必要とされています。
DW-3000は、独自の低N.A.の描画ヘッドを搭載。
TSV、バンプ形成工程で必要とされる高段差、および厚膜レジストに対して充分な焦点深度を有し、均一性の優れたパターニングが可能となります。

4. 信頼性の高い高速ステージを採用

300mmウェーハの直接描画装置として、毎時65枚のスループットを実現。 少量多品種生産から大量生産までフレキシブルな対応が可能です。

5. 次世代パッケージ製造に向けた多彩なオプションを準備

メインパターン描画と同時にチップIDの描画ができ、デバイスのトレーサビリティーに活用可能。
200mm/300mmウェーハ選択のブリッジツール。
不良チップへのマーキング機能。
独自のウェーハ搬送と吸着方式により、薄ウェーハや反りウェ-ハに対応。

仕様

解像力 2 μm (L/S) or 3 μm (L/S)
露光方式 直接描画（ラスタースキャン方式）
縮小比 1：5
NA（開口数） 0.2 / 2 μm (L/S) or 0.1 / 3 μm (L/S)
露光光源 16W YAGレーザ（i-line:355nm）
ウェーハサイズ 200mm / 300mm（選択）
オーバーレイ精度 表面アライメント : ≦ 1μm（|M|＋3σ）
裏面アライメント : ≦ 1μm（|M|＋3σ）

製品情報