高密度プラズマ源を搭載した真空成膜装置

低インダクタンスアンテナ(LIA™)プラズマ技術と当社大型基板搬送技術をCVDやスパッタなどの大型基板処理装置に展開しました。
基板へのダメージを低減しながら高密度プラズマを生成するLIA™プラズマ技術と、世界シェアNo.1の実績を持つディスプレー製造装置で培った大型基板搬送技術を組み合わせることで、大型基板への高速かつ均一処理をを可能にしています。

特長

  1. 高い成膜レート SiNx 2.5nm/sec.、Al2O3 1.5nm/sec.
  2. 高品質結晶ITO 抵抗率 120μΩ・cm以下、高透過率 90%以上(λ=550 nm)、表面粗さ Ra1nm以下
  3. 高い面内均一性 ±3%以内 (有効エリア1,200mmx1,000mmの場合)
  4. デポアップ方式

仕様

対応基板サイズ:1,500x1,850mm(G6)

※LIA™は株式会社イー・エム・ディーの商標または登録商標です。

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