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レーザーアニール処理装置 LT-3000/3100

レーザーアニール処理装置 LT-3000/3100

LT-3000/3100は最先端デバイスの熱処理において制約となっていた各種課題に対応するレーザーアニール処理装置です。
LT-3000シリーズに採用されている柔軟性に富んだ機能は、さまざまなアプリケーションにおける、幅広い要求にお応えします。また、LT-3000シリーズには、新たにLT-3100プラットフォームが追加され、そのラインアップを拡大しています。
LT-3000/3100は独自のUVレーザー技術を採用し、ドーパント活性化、薄膜結晶化、結晶欠陥の修復、表面平滑化、3Dスタッキングなどに有効な、最適なメルト処理が可能です。温度の昇降サイクルは、最速の200ns以下を実現。またアニール処理にステップアンドリピート方式を採用する事で、デバイスを均一に処理するだけでなく、いかなるウェーハサイズでも均一に処理が可能です。高度なパワーデバイス向けの小サイズウェーハや、40μm以下の薄型ウェーハを使用しているお客様にとっても、LT-3000は導入しやすい装置となっています。LT-3000/3100は、その柔軟性に富むプラットフォームを活用し、特定のアプリケーションにおけるプロセス要求や生産性への対応が可能。さまざまな機能の中でも、レーザープロセスを監視するリアルタイムモニタリング機能によって、プロセスの詳細な追跡が可能となっています。またプロセス開発を行うためのユニークなツールが搭載されており、処理条件を組み合わせた実験が可能です。このツールによって、何百にも及ぶプロセス条件を1枚のウェーハに一挙に設定でき、プロセス開発にかかる時間とコストを削減できます。

特徴

  1. Ultra Lowサーマルバジェット
    サブマイクロ秒のわずかな時間で、ウエーハ最表面のみのアニールを実現。LT-3000/3100は、壊れやすい基板であっても、デバイス構造の重要な部分を傷つけることなく熱処理が可能です。
  2. フルデバイス領域のアニール
    1つのダイだけの場合や複数のダイグループの場合に加えて、特定の場所だけの、ワンショットによる熱処理が可能。LT-3000/3100は工程やデバイスの要件に合わせてビームの形やサイズを調整し、スティッチングなしで処理します。
  3. ドーパント活性化コントロール

    かつてないほどの高い活性化レベルと特性歩留りは、LT-3000/3100の熱処理によってのみ実現が可能です。メルトアニールによりドーパントの超活性化が行われ、欠陥の無いトップレベルの低抵抗層が得られます。


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