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フラッシュランプアニール装置 LA-3100

フラッシュランプアニール装置 LA-3100

特長

  1. ミリ秒単位で加熱温度のプロファイルをコントロール
    瞬間発光するキセノンフラッシュランプからの数ミリ秒の熱照射によって、ウェーハの表面温度を中高速で昇降温でき、低サーマルバジェットの熱処理が可能となりました。これによって、ソース・ドレインに注入される不純物を高く活性化するのと同時に、濃度プロファイルも精密に制御できます。
  2. 加熱照射時のウェーハ温度測定機能搭載
    ウェーハ全面にミリ秒単位で制御された熱処理を精密に行いながら、同時に加熱照射時のウェーハ温度を実測定する新機能を搭載。研究・開発段階から温度制御に着目した物理現象の把握・解明を容易に行えるようになります。
  3. 低酸素雰囲気
    ウェーハを枚葉処理で行うため、厳しく管理された低酸素雰囲気下でのアニール処理が可能です。

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