ホーム  > 製品一覧 > 半導体後工程用直接描画装置 DW-3000

印刷

半導体後工程用直接描画装置 DW-3000

半導体後工程用直接描画装置 DW-3000

特長

  1. GLV™とハイパワーYAGレーザを用いたツイン描画ヘッドを搭載
    GLV™とは、半導体チップのベース上に光を反射する非常に微細なリボンを配置したものです。
    このリボンを上下させることで、多チャンネルの光を同時にオンオフすることが可能となります。
    SCREENは、長年培ったレーザ制御技術を用いて、ハイパワーのレーザ光を高い精度でこのGLV™上に照射し、同時に8000チャンネルもの多数のレーザ光の制御を可能としました。その結果、高速ステージとの同期が可能となり、高精度な高速描画を実現しました。
  2. Thinningや支持基板への貼り付け時に発生する反りや非線形の歪みに対応
    高い歩留まりと信頼性の高いデバイス性能を得るためには、優れた解像度と重ね合わせ精度が不可欠です。
    DW-3000は、グローバルアライメントに加え、描画データを制御してのウェーハ毎に補正が可能なローカルアライメント機能を搭載。
  3. 厚膜レジストプロセスに対応した独自の光学系を搭載
    半導体デバイスの高集積化を実現するためには、シリコン貫通電極(TSV)を用いた3次元実装技術が必要とされています。
    DW-3000は、独自の低N.A.の描画ヘッドを搭載。
    TSV、バンプ形成工程で必要とされる高段差、および厚膜レジストに対して充分な焦点深度を有し、均一性の優れたパターニングが可能となります。
  4. 信頼性の高い高速ステージを採用
    300mmウェーハの直接描画装置として、毎時65枚のスループットを実現。
    少量多品種生産から大量生産までフレキシブルな対応が可能です。
  5. 次世代パッケージ製造に向けた多彩なオプションを準備
    • メインパターン描画と同時にチップIDの描画ができ、デバイスのトレーサビリティーに活用可能。
    • 200mm/300mmウェーハ選択のブリッジツール。
    • 不良チップへのマーキング機能。
    • 独自のウェーハ搬送と吸着方式により、薄ウェーハや反りウェ-ハに対応。

仕様

解像力 3μm(L&S)
露光方式 直接描画(ラスタースキャン方式)
縮小比 1:5
NA(開口数) 0.1
露光光源 16W YAGレーザ(i-line:355nm)
ウェーハサイズ 200mm / 300mm(選択)
オーバーレイ精度 表面アライメント ≦ 1μm(|M|+3σ)
裏面アライメント ≦ 1μm(|M|+3σ)

ページの先頭に戻る