製品情報

CMP後洗浄装置 AS-2000

メタルCMP 後洗浄にも対応

特長

  1. ウェットローダにより洗浄前のウェーハの乾燥を防止。CMP後のウェーハからパーティクルと研磨材を効率よく除去できます。
  2. ウェーハ両面をディスクブラシで洗浄した後、ウェーハ表面を自公転ブラシで精密に洗浄。1.5MHzの超音波純水で微小なパーティクルと研磨材を除去するD-Sonic洗浄ユニットや流体ノズルのSoftsprayも搭載可能です。
  3. ウェーハ搬送と乾燥時間の短縮により、生産性が約50%向上しました。(当社標準処理条件の場合)
  4. 各ユニットを最適に配置することにより、フットプリントが約25%縮小(当社比)しました。
  5. 当社のスピンプロセッサシリーズで実績のある複数の薬液を用いた洗浄処理が可能。層間絶縁膜の研磨後だけではなく、メタルCMP後の汚染除去にも対応します。
  6. CMP装置とのインライン化にも対応します。

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