CMP後洗浄装置 AS-2000

特長
- ウェットローダにより洗浄前のウェーハの乾燥を防止。CMP後のウェーハからパーティクルと研磨材を効率よく除去できます。
- ウェーハ両面をディスクブラシで洗浄した後、ウェーハ表面を自公転ブラシで精密に洗浄。1.5MHzの超音波純水で微小なパーティクルと研磨材を除去するD-Sonic洗浄ユニットや流体ノズルのSoftsprayも搭載可能です。
- ウェーハ搬送と乾燥時間の短縮により、生産性が約50%向上しました。(当社標準処理条件の場合)
- 各ユニットを最適に配置することにより、フットプリントが約25%縮小(当社比)しました。
- 当社のスピンプロセッサシリーズで実績のある複数の薬液を用いた洗浄処理が可能。層間絶縁膜の研磨後だけではなく、メタルCMP後の汚染除去にも対応します。
- CMP装置とのインライン化にも対応します。






